米勒效應所產(chǎn)生的電容和峰值問(wèn)題在日常工作中，屬于一種比較常見(jiàn)的情況。在IGBT模塊操作中，如果沒(méi)有及時(shí)處理米勒電容問(wèn)題，很容造成IGBT損壞。那么，寄生米勒電容有哪些危害？工程師應該如何快速的清除IGBT寄生米勒電容問(wèn)題呢？就讓我們通過(guò)下文進(jìn)行詳細的分析和介紹。

在日常的工作過(guò)程中，IGBT模塊操作時(shí)一旦出現了米勒效應的寄生電容問(wèn)題，往往見(jiàn)于明顯的在0到15V類(lèi)型的門(mén)極驅動(dòng)器，也就是工程師們常說(shuō)的單電源驅動(dòng)器。門(mén)集-電極之間的耦合在IGBT關(guān)斷期間，高dV/dt瞬態(tài)可誘導寄生IGBT道通，也就是門(mén)集電壓尖峰，這對于IGBT乃至整機來(lái)說(shuō)，都是一種潛在的危險。

通常情況下，為了防止出現寄生IGBT通道的情況發(fā)生，國內通常有兩種解決辦法。第一個(gè)辦法是為配置添加門(mén)極和發(fā)射極之間的電容，第二是通過(guò)使用負門(mén)極驅動(dòng)。如果使用第一方案，那么很容易造成效率的降低，而第二個(gè)方案則需要考慮到額外費用和成本問(wèn)題，工程師需要依據實(shí)際情況進(jìn)行比較和判斷。

目前業(yè)內所采用通過(guò)縮短門(mén)極—發(fā)射極的路徑，用一個(gè)晶體管放在門(mén)極—發(fā)射極之間是一種比較常用的方法。這種方法在達到一定的閾值之后，晶體管將造成門(mén)極—發(fā)射極地區的短路。我們將這種加入額外晶體管的技術(shù)稱(chēng)之為源米勒鉗位，這種辦法是能夠有效消除米勒效應產(chǎn)生的寄生電容問(wèn)題。

結語(yǔ)

工程師在了解了米勒效應寄生電容所產(chǎn)生的根本原因之后，可以因地制宜的進(jìn)行解決方案的選擇。及時(shí)消除米勒電容問(wèn)題可以充分保證IGBT的正常工作運轉，也能夠有效的提升機體工作時(shí)長(cháng)和工作效率。