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      開(kāi)關(guān)電源電容損耗_電源工程師需看

      文章出處:網(wǎng)責任編輯:作者:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2020-10-14 10:05:00【

       能量轉換系統必定存在能耗,雖然實(shí)際應用中無(wú)法獲得100%的轉換效率,但是,一個(gè)高質(zhì)量的電源效率可以達到非常高的水平,效率接近95%。絕大多數電源IC 的工作效率可以在特定的工作條件下測得,數據資料中給出了這些參數。一般廠(chǎng)商會(huì )給出實(shí)際測量的結果,開(kāi)關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開(kāi)關(guān)器件(MOSFET 和二極管),另外小部分損耗來(lái)自電感和電容。但是,如果使用非常廉價(jià)的電感和電容(具有較高電阻),將會(huì )導致?lián)p耗明顯增大。選擇IC時(shí),需要考慮控制器的架構和內部元件,以期獲得高效指標。

       電容損耗

       與理想的電容模型相反,電容元件的實(shí)際物理特性導致了幾種損耗。電容在SMPS 電路中主要起穩壓、濾除輸入/輸出噪聲的作用(圖1),電容的這些損耗降低了開(kāi)關(guān)電源的效率。這些損耗主要表現在三個(gè)方面:等效串聯(lián)電阻損耗、漏電流損耗和電介質(zhì)損耗。

       

      電容的阻性損耗顯而易見(jiàn)。既然電流在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期流入、流出電容,電容固有的電阻(RC)將造成一定功耗。漏電流損耗是由于電容絕緣材料的電阻(RL)導致較小電流流過(guò)電容而產(chǎn)生的功率損耗。電介質(zhì)損耗比較復雜,由于電容兩端施加了交流電壓,電容電場(chǎng)發(fā)生變化,從而使電介質(zhì)分子極化造成功率損耗。

       

       

       

      所有三種損耗都體現在電容的典型損耗模型中(圖 左邊部分),用電阻代表每項損耗。與電容儲能相關(guān)的每項損耗的功率用功耗系數(DF)表示,或損耗角正切(δ)。每項損耗的DF 可以通過(guò)由電容阻抗的實(shí)部與虛部比得到,可以將每項損耗分別插入模型中。

       

      為簡(jiǎn)化損耗模型, 圖中的接觸電阻損耗、漏電流損耗和電介質(zhì)損耗集中等為一個(gè)等效串聯(lián)電阻(ESR)。ESR 定義為電容阻抗中消耗有功功率的部分。

       

      推算電容阻抗模型、計算ESR (結果的實(shí)部)時(shí),ESR 是頻率的函數。這種相關(guān)性可以在下面簡(jiǎn)化的ESR等式中得到證明:

       

       

       

      式中,DFR、DFL 和DFD 是接觸電阻、漏電流和電介質(zhì)損耗的功耗系數。

       

      利用這個(gè)等式,我們可以觀(guān)察到隨著(zhù)信號頻率的增加,漏電流損耗和電介質(zhì)損耗都有所減小,直到接觸電阻損耗從一個(gè)較高頻點(diǎn)開(kāi)始占主導地位。在該頻點(diǎn)(式中沒(méi)有包括該參數)以上,ESR 因為高頻交流電流的趨膚效應趨于增大。

       

      許多電容制造商提供ESR 曲線(xiàn)圖表示ESR 與頻率的關(guān)系。例如,TDK 為其大多數電容產(chǎn)品提供了ESR 曲線(xiàn),參考這些與開(kāi)關(guān)頻率對應曲線(xiàn)圖,得到ESR 值。

       

      然而,如果沒(méi)有ESR 曲線(xiàn)圖,可以通過(guò)電容數據資料中的DF 規格粗略估算ESR。DF 是電容的整體DF (包括所有損耗),也可以按照下式估算ESR:

       

       

       

       

      無(wú)論采用哪種方法來(lái)得到ESR 值,直覺(jué)告訴我們,高ESR 會(huì )降低開(kāi)關(guān)電源效率,既然輸入和輸出電容在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期通過(guò)ESR 充電、放電。這導致I2× RESR 功率損耗。這個(gè)損耗(PCAP(ESR))可以按照下式計算:

      PCAP(ESR) = ICAP(RMS)2 × RESR

      式中,ICAP(RMS)是流經(jīng)電容的交流電流有效值RMS。對降壓電路的輸出電容,可以采用電感紋波電流的有效值RMS。輸入濾波電容的RMS 電流的計算比較復雜,可以按照下式得到一個(gè)合理的估算值:

      ICIN(RMS) = IOUT/VIN × [VOUT (VIN - VOUT)]1/2

      顯然,為減小電容功率損耗,應選擇低ESR 電容,有助于SMPS 電源降低紋波電流。ESR 是產(chǎn)生輸出電壓紋波的主要原因,因此選擇低ESR 的電容不僅僅單純提高效率,還能得到其它好處。

       

      一般來(lái)說(shuō),不同類(lèi)型電介質(zhì)的電容具有不同的ESR 等級。對于特定的容量和額定電壓,鋁電解電容和鉭電容就比陶瓷電容具有更高的ESR 值。聚酯和聚丙烯電容的ESR 值介于它們之間,但這些電容尺寸較大,SMPS 中很少使用。

       

       

      對于給定類(lèi)型的電容,較大容量、較低的fS 能夠提供較低的ESR。大尺寸電容通常也會(huì )降低ESR,但電解電容會(huì )帶來(lái)較大的等效串聯(lián)電感。陶瓷電容被視為比較好的折中選擇,此外,電容值一定的條件下,較低的電容額定電壓也有助于減小ESR。

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